真空鍍膜設備真空鍍膜機圓柱靶的設計
本真空鍍膜機在以前工作的基礎上設計了新結構的圓柱陰極靶。多弧圓柱靶與磁控濺射靶材水平分置基材上下側(cè)共同放電，基材表面在沉積了多弧離子鍍大顆粒的同時也沉積了磁控濺射的小顆粒，一方面利用了多弧離子鍍的高離化率及離子鍍良好的基膜界面層結合力，另一方面利用了磁控濺射沉積薄膜的致密性，形成了一種混凝土式的共混結構，達到耐磨、耐腐蝕的目的。圖4 所示的圓柱靶機構設計示意圖，采用高磁場強度的釹鐵硼磁鐵，并用磁流體密封代替?zhèn)鹘y(tǒng)橡膠密封，從而克服轉(zhuǎn)動部分漏水漏氣的缺點。
通常在磁控靶的設計中大多采用實物靶實驗的方法改進磁控靶的性能，多次反復實驗從而確定磁鐵的磁感應強度和物理結構。隨著計算機數(shù)值模擬技術的不斷發(fā)展，特別是計算機模擬軟件的應用和普及，目前越來越多的工程設計采用了預先的計算機數(shù)值模擬分析技術，然后根據(jù)數(shù)值模擬的結果進行工程設計，大大簡化了設計的研制周期，降低了研發(fā)成本。本研究采用有限元分析軟件ANSYS 模擬磁場的分布情況，確定了最佳的磁極分布、磁極尺寸和物理結構。目前國際市場的稀土材料大漲造成強磁的釹鐵硼磁鐵價格也隨之大幅度增加，為了降低磁控陰極的生產(chǎn)成本我們又進行了鐵氧體磁體的數(shù)值模擬，通過改變磁鐵同靶材的距離增強靶表面磁感應強度。
有限元數(shù)值模擬圓柱磁控濺射靶磁感應強度的結果。磁鐵尺寸為11mm×11mm×30 mm，磁鐵磁感應強度1200 Gs，設計的靶表面最大垂直方向磁感應強度為240 Gs。圖6 是有限元數(shù)值模擬圓柱多弧靶磁感應強度的結果，多弧靶的設計中由于要求的靶表面磁場強度不能太高，我們采用了單磁鐵結構，設計的靶表面最大垂直方向磁感應強度為110 Gs，磁鐵尺寸11mm×11mm×30 mm，磁鐵磁感應強度1200 Gs。本研究中我們還對磁場數(shù)值模擬的結果同實際靶的磁場強度分布進行了比對研究。驗證試驗采用SHT- V 型特斯拉計測量了靶表面水平和垂直方向的磁感應強度，實驗結果表面模擬磁感應強度同實際測量結果有較好的一致性，有關結果將另行成文進行描述。根據(jù)數(shù)值分析的結果設計的兩種靶放電情況良好，靶材利用率可達85%。
輝光弧光共放電的物理特性的研究
是APSCD 輝光弧光協(xié)同共放電的結構原理示意圖，多弧圓柱靶與磁控濺射靶分置基材上下側(cè)協(xié)同共同放電，輝光弧光等離子體互相增強，基材表面在沉積了多弧離子鍍大顆粒的同時也沉積了磁控濺射的小顆粒，形成了一種混凝土式的膜層同鍍的共混結構膜層。磁控濺射利用的是氣體放電中的異常輝光放電，利用磁場束縛電子，增大電子密度，提高等離子體的密度，其陰極位降很大，且位降區(qū)的寬度減小。
磁控濺射中一般陰極電壓為幾百伏特, 電流密度<1 mA/cm2，多弧離子鍍利用的是弧光放電，電弧放電產(chǎn)生強烈的輻射，放電區(qū)中溫度最高點幾千K，電弧放電其特點是電流密度極大而極間電壓低，其自持依賴于新的電子發(fā)射機制，其電壓一般僅為10 V- 20 V，電流則高達150 A。由于輝光弧光放電的機制不同，在輝光弧光共放電共沉積過程中要分析二者不同的等離子密度增強機制, 研究磁場對置結構下弧斑軌跡的運動的變化規(guī)律, 研究弧光放電高強度輻射造成的荷能電子碰撞電離增強特性。
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